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NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N沟道增强型MOSFET
描述
NP4N10MR采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和高
超低导通电阻密度电池设计。这
该装置适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征
? VDS=100V，ID=4A RDS（开）（典型值）=110m? @VGS=10V
RDS（开）（典型值）=150m? @VGS=4.5V
? 高功率和电流处理能力
? 获得无铅产品
? 表面贴装封装
应用
? PWM应用
? 负荷开关
包裹
? SOT-23-3L
示意图
D G S
标记和针脚分配
