FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A（Ta），28A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）：44nC @ 10V

Vgs（大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）：2000pF @ 50V

功率耗散（大值）：2.5W（Ta），63W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）：37 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN（5x6）

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（大） @ Vds：50V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs