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ST2319SRG替代Si2319CDS、Si2319DDS
描述 特征 SOT-23封装设计
ST2319SRG是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程
特别是定制，以尽量减少对国家的阻力。这些设备是特别
适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑
电源管理和其他电池供电的电路，高侧开关和
在一个非常小的轮廓表面贴装封装需要低的在线功率损耗
- 40V / -3.5a，RDS（上）= 75mΩ（典型值）
@ VGS = - 10V
- 40V / -2.8a，RDS（上）＝105mΩ
@ VGS = 4.5v
超高密度电池设计
极低的RDS（on）
特殊的阻力和最大
直流电流的能力
