台湾STANOSN 司坦森原厂厂家直销 大量现货价格优势

STN4826替代Si9945BDY、Si4946CDY

描述
stn4826是双N沟道逻辑增强型功率场效应
晶体管是利用高密度，DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程，特别是量身定制，以尽量减少对状态的阻力。这些
装置特别适合于低电压应用，笔记本电脑电源
管理和其他电池供电的电路，高侧开关。

特征
60V / 8.0A，RDS（ON）＝30mΩ（典型值）
@ VGS = 10V
60V／6A，RDS（ON）= 40mΩ
@ VGS = 4.5V
超高密度电池设计
极低的RDS（on）
特殊的阻力和
最大直流电流能力
SOP-8封装设计