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| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 英飞凌infineon | ||
| 种类 | IGBT 模块 | ||
| 批号 | 20＋ | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 2.15 V | ||
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 395 W | ||
| 最小工作温度 | - 40 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 封装 | Tray | ||
| 系列 | Trenchstop IGBT4 - T4 | ||
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
| 单位重量 | 160 g | ||
| 可售数量 | 999 | ||
| 616777930 | |||
| 微信 | bm7659 | ||
| 官网 | http | //www.bami-power.com | |
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | FF75R12RT4 | ||
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英飞凌IGBT模块，基本参数、型号FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模块,产品型号齐全，IGBT模块精工设计,内在质量优良,外形美观耐用,安装操作方便，原厂正规授权，正品保证。英飞凌IGBT模块本公司长期备有大量现货库存，坚持以“品质保证、现货经营、薄利多销、服务至上”的经营理念向客户提供优质的服务。
