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上架日期： 2020年12月3日浏览量： 335次

IXFN100N50P IXYS 艾赛斯MOS管

产品价格：￥115（人民币）

规格：IXFN100N50P

发货地：江苏

品牌：

最小起订量：1个

上海森港电子科技有限公司

诚信商家

会员级别：

认证类型：企业认证

企业证件：通过认证

认证信息：上海森港电子科技有限公司

商铺名称：上海森港电子科技有限公司

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商品详情

制造商型号

IXFN100N50P

IXFN 系列单 N 沟道 500 Vds 49 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - SOT-227B

制造商:

IXYS

标准包装:

10/管装

属性参数

Fet Type:

N-Ch

Drain-to-Source Voltage [Vdss]:

500V

Drain-Source On Resistance-Max:

0.049Ω

Rated Power Dissipation:

1040|W

Qg Gate Charge:

240nC

安装方式：

Surface Mount

型号参数：IXFN100N50P参数
是否无铅	不含铅
生命周期	Transferred
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	3.46
其他特性	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	5000 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
漏极电流 (ID)	90 A
漏源导通电阻	0.049 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PUFM-X4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
脉冲漏极电流 (IDM)	250 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Nickel (Ni)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1