| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |
 不含铅
|
| 是否Rohs认证 |
 符合
|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1080675828 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA96,9X16,32 |
| 针数 | 96 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.36 |
| Factory Lead Time | 15 weeks 6 days |
| 风险等级 | 0.81 |
| Samacsys Description | SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (8x14) |
| Samacsys Manufacturer | Micron |
| Samacsys Modified On | 2022-06-14 06:31:57 |
| YTEOL | 5.1 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.225 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 14 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR3L DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 96 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 工作温度 | 95 °C |
| 工作温度 | |
| 组织 | 128MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA96,9X16,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.35 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 8 |
| 待机电流 | 0.012 A |
| 子类别 | DRAMs |
| 压摆率 | 0.195 mA |
| 供电电压 (Vsup) | 1.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.35 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 8 mm |
