富士IGBT价格哪里买反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 [5]

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图4示出了双向可控硅的特性曲线。

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1）选择性好。上下级熔断器的熔断体额定电流只要符合国标和IEC标准规定的过电流选择比为1.6：1 的要求，即上级熔断体额定电流不小于下级的该值的1.6 倍，就视为上下级能有选择性切断故障电流；哪里买N490CH20 面接触型二极管SKM100GD063Dl

VUO160-14NO7根据最新的调查报告显示，各种IGBT器件和模块的销售额在2013年将有一定程度的复苏，2014年稍稍减速，待经济复苏并稳定后，从2015年开始将稳定增长。虽然2013年IGBT市场增长趋势有所下降，但随着国内技术的进步，其发展前景还是十分被看好的。TT330N12KOF

结构组成编辑电流检测法最为常用，其又派生出平均电流 Park矢量法、单电流传感器法和电流斜率法等，平均电流 Park 矢量法以 Coimbra 大学的 J.A.ACaseiro 教授发表的几篇文章为代表。该方法在α ? β 坐标系下进行，通过 3-2 变换得到 I α 和 I β ，在一个电流周期内求其平均值，根据平均值求得平均电流 Park 矢量。 故障出现时 Park 矢量将不为零，通过判断其幅值和相位确定哪只 IGBT 出现故障。平均电流 Park 矢量法的缺点在于其对负载敏感， 负载不同情况下， Park 矢量电流大小不同，会造成评价故障的标准不统一。电流矢量斜率法根据故障前后定子电流矢量轨迹斜率的不同来诊断故障，缺点在于该方法极易受到干扰而导致误判

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