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    发布者：shsgdz66  发布时间：2020-05-28 11:28:40  访问次数：212

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    图片1IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IXYSIGBT报价生产厂家

    反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 [5]

    图4示出了双向可控硅的特性曲线。170M3622 170M3623 170M4162 170M4163 170M4164 170M4165 170M4166 170M4167 IXYS 

     

     

     

     

     
    来源：shsgdz66
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